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了解TI C2000实时mcu和GaN fet如何协调工作，为现代数字电力系统提供灵活和简单的解决方案，同时仍然提供尖端功能，实现功率密集和高效的数字电力系统。

用GaN实现两倍的功率密度

新型LMG3422R050 50-mΩ 600v GaN FET是一种单芯片解决方案，具有最快的集成栅极驱动器和自我保护，适用于低于100 W至10 kW的应用。

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C2000™TMS320F28388D实时MCU是一种高性能设备，专门设计用于控制1.5 mb闪存，以及支持EtherCAT和CAN-FD的附加连接管理器。

与现有的Si或SiC解决方案相比，自动合格的GaN fet将电动汽车车载充电器和DC/DC转换器的尺寸减少了50%，延长了电池续航时间。

学习如何使用集成GaN FET在功率因数校正(PFC)和高压DC/DC转换器中实现高功率密度和效率。

本视频将帮助您了解GaN技术和产品的基础知识(包括竞争优势)，并帮助您回答最常见的问题。

观看这个演示行业第一汽车GaN FET与集成门驱动器，保护，报告和有源电源管理，具有顶部冷却表面安装包，以简化生产和散热。

观察GaN功率fet和C2000™mcu如何启用图腾柱功率因数校正(PFC)拓扑，消除桥式整流功率损耗，具有大于100V/ns dV/dt的最低开关损耗和80 +钛效率。

阅读本白皮书，了解具有集成驱动器的TI GaN fet和TI C2000™实时mcu的特性如何协调工作，以解决电力电子设计师在开发现代电力转换系统时面临的问题。

与传统的硅mosfet相比，GaN和SiC fet具有更高的功率密度和效率。本文探讨了这两种技术之间的差异，包括开关性能、成本和应用。

了解更多TI公司GaN产品是如何通过一个全面的内部项目实现应用可靠性的，包括外延增长、应用可靠性验证和新GaN标准的行业支持。

将氮化镓fet与其驱动器集成，可以提高开关性能，简化氮化镓功率级设计。了解GaN晶体管如何比硅mosfet开关更快，从而有潜力实现更低的开关损耗。

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